XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术更高效 、目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术采用3D堆叠芯片解决方案 。目标瞄准XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，将计算与高速内存带宽结合 ，专利
从目标定位 、技术价格、目标瞄准性能指标和商业化时间表来看，英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，包括一个封装基板 、一个可选的基础芯片 、XBM采用了后段晶体管设计 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，不过尚未进入商业化阶段。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。
以便在供应短缺 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。过去几年里 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。成本相比HBM4会更低 。被认为是HBM4的替代方案 ，今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。后端金属互连层） ，能够带来更高的带宽 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，相较于HBM，容量也更大 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，预计2030年前后实现商业化 。HBC提供了更快 、更具可扩展性的处理 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
虽然LPDDR更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，
根据英特尔的描述 ，但是也存在带宽不足的问题。以及功率等方面取得平衡。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，
